L'onduleur SiC (Silicon Carbide) remplace les transistors IGBT en silicium par des MOSFET SiC. Le SiC supporte des tensions plus élevées, des températures plus importantes et commute plus vite. Pertes réduites de 50-70% vs IGBT, améliorant l'autonomie de 5-10%.
Les MOSFET SiC convertissent le DC de la batterie en AC triphasé pour le moteur. Le SiC commute plus vite (moins de pertes de commutation) et a une résistance à l'état passant plus faible (moins de pertes de conduction). Refroidissement réduit.